BSC0504NSIATMA1

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BSC0504NSIATMA1概述

BSC0504NSI 系列 30 V 72 A 3.7 mOhm 表面贴装 N-沟道 SuperSO8 OptiMOS™ 5

表面贴装型 N 通道 21A(Ta),72A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8-6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON


欧时:
Infineon BSC0504NSIATMA1


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 30 V, 0.004 ohm, 4.5 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R


BSC0504NSIATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 30 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 960pF @15VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 and, E-fuse, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator, Or-ing, CPU/GPU VR in notebooks

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BSC0504NSIATMA1
描述:BSC0504NSI 系列 30 V 72 A 3.7 mOhm 表面贴装 N-沟道 SuperSO8 OptiMOS™ 5

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