BUK661R8-30C,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUK661R8-30C,118概述

D2PAK N-CH 30V 120A

N-Channel 30 V 120A Tc 263W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH TRENCH D2PACK

BUK661R8-30C,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 263W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 93 ns

输入电容Ciss 10918pF @25VVds

额定功率Max 263 W

下降时间 142 ns

耗散功率Max 263W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BUK661R8-30C,118

型号： BUK661R8-30C,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：D2PAK N-CH 30V 120A