BSH205G2R

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BSH205G2R中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.89 W

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 418pF @10VVds

下降时间 16 ns

耗散功率Max 480mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSH205G2R
型号: BSH205G2R
制造商: NXP 恩智浦
描述:BSH205G2 Series 20V 2A 170mOhm SMT P-channel Trench MOSFET - SOT-23-3

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