BSN20BKR

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BSN20BKR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 310mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.265A

上升时间 8.4 ns

输入电容Ciss 20.2pF @30VVds

额定功率Max 310 mW

下降时间 5.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSN20BKR
型号: BSN20BKR
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB N-CH 60V 0.265A

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