BUK762R9-40E,118

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BUK762R9-40E,118中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 234W Tc

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 6200pF @25VVds

额定功率Max 234 W

下降时间 32 ns

耗散功率Max 234W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK762R9-40E,118
型号: BUK762R9-40E,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:N-Channel 40V 2.9mΩ 79NC SMT TrenchMOS Standard Level FET - TO-263

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