BSR56,215

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BSR56,215概述

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 40V 20MA SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS


艾睿:
Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


BSR56,215中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 25 Ω

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 40 V

击穿电压 40 V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSR56,215
型号: BSR56,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号BSR56,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSR56,215

NXP 恩智浦

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