BUK662R5-30C,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUK662R5-30C,118概述

D2PAK N-CH 30V 100A

N-Channel 30 V 100A Tc 204W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
NEXPERIA BUK662R5-30C - 100A, 30

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH TRENCH D2PACK

BUK662R5-30C,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 204 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 6960pF @25VVds

额定功率Max 204 W

下降时间 113 ns

耗散功率Max 204W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BUK662R5-30C,118

型号： BUK662R5-30C,118

制造商： NXP 恩智浦

描述：D2PAK N-CH 30V 100A

立即咨询

替代型号BUK662R5-30C,118

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BUK662R5-30C,118 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
FDB8860 飞兆/仙童	功能相似	BUK662R5-30C,118和FDB8860的区别
STD155N3LH6 意法半导体	功能相似	BUK662R5-30C,118和STD155N3LH6的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BUK662R5-30C,118

NXP 恩智浦

当前型号

FDB8860

飞兆/仙童

功能相似

BUK662R5-30C,118和FDB8860的区别

STD155N3LH6

意法半导体

功能相似

BUK662R5-30C,118和STD155N3LH6的区别