BUK753R8-80E,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUK753R8-80E,127概述

TO-220AB N-CH 80V 120A

N-Channel 80V 120A Tc 349W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
TRANSISTOR >30MHZ

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin TO-220AB Rail

安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-220AB Rail

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin TO-220AB Rail

BUK753R8-80E,127中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 349W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 12030pF @25VVds

额定功率Max 349 W

耗散功率Max 349W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK753R8-80E,127

型号： BUK753R8-80E,127

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-220AB N-CH 80V 120A