INFINEON BSS806NH6327XTSA1 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon 得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, BRT, N沟道, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, SOT-23
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
额定功率 0.5 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 550 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 9.9 ns
输入电容Ciss 370pF @10VVds
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, Onboard charger, 工业, Automotive, Industrial, Power Management, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSS806NH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2302DDS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | BSS806NH6327XTSA1和SI2302DDS-T1-GE3的区别 |