BSS806NH6327XTSA1

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BSS806NH6327XTSA1概述

INFINEON  BSS806NH6327XTSA1  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
.
* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, BRT, N沟道, 20 V, 2.3 A, 0.041 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, SOT-23


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23


BSS806NH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 550 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 9.9 ns

输入电容Ciss 370pF @10VVds

下降时间 3.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, Onboard charger, 工业, Automotive, Industrial, Power Management, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSS806NH6327XTSA1
型号: BSS806NH6327XTSA1
描述:INFINEON  BSS806NH6327XTSA1  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
替代型号BSS806NH6327XTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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SI2302DDS-T1-GE3

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