BCW61DE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCW61DE6327概述

SOT-23 PNP 32V 0.1A

Bipolar BJT Transistor

得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23

TME:
Transistor: PNP; bipolar; 32V; 100mA; 330mW; SOT23

BCW61DE6327中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW61DE6327

型号： BCW61DE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-23 PNP 32V 0.1A

替代型号BCW61DE6327