BCX18LT1

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BCX18LT1概述

通用晶体管(电压和电流均为负值PNP晶体管) General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −620mV/-0.62V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors Features • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 通用 (PNP晶体管负电压和电流) 特点 •无铅包装是可用

BCX18LT1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BCX18LT1
型号: BCX18LT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:通用晶体管(电压和电流均为负值PNP晶体管) General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
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