Infineon BC857BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:220, 3引脚 SOT-23封装
小信号 PNP ,
欧时:
Infineon BC857BE6327HTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:220, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 100 mA
艾睿:
Use this versatile PNP BC857BE6327HTSA1 GP BJT from Infineon Technologies to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
频率 250 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 330 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220
最大电流放大倍数hFE 475
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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