INFINEON BSF134N10NJ3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 2.7 V
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装(无铅)
超低 Rdson
得捷:
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
立创商城:
N沟道 100V 40A 9A
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF134N10NJ3GXUMA1, 40 A, Vds=100 V, 2引脚 WDSON封装
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
e络盟:
INFINEON BSF134N10NJ3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 2.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON-2 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 28W
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
Newark:
# INFINEON BSF134N10NJ3GXUMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 2.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON / N-Channel 100 V 9A Ta, 40A Tc 2.2W Ta, 43W Tc Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
额定功率 28 W
针脚数 2
漏源极电阻 0.0122 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 43 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1700pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 43 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 WDSON-2-3
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 WDSON-2-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17