单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
通用 NPN ，
得捷:
TRANS NPN 25V 0.5A SOT23
欧时:
Infineon BC818K40E6327HTSA1 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=25 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 25V 0.5A
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS NPN 25V 0.5A SOT-23
极性 NPN
耗散功率 500 mW
增益频宽积 170 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 630
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For general AF applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC818K40E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BC 818-40 E6327 英飞凌 | 类似代替 | BC818K40E6327HTSA1和BC 818-40 E6327的区别 |