SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
N-Channel 200 V 5.5A Tc 40W Tc Through Hole PG-TO220-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 5.5A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220
TME:
Transistor N-FET 200V 5,8A 40W 0,5R TO220
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
额定电压DC 200 V
额定电流 5.50 A
额定功率 40 W
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
输入电容 530 pF
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUZ73A Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BUZ73L 英飞凌 | 类似代替 | BUZ73A和BUZ73L的区别 |
BSC22DN20NS3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | BUZ73A和BSC22DN20NS3GATMA1的区别 |
BSZ22DN20NS3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | BUZ73A和BSZ22DN20NS3GATMA1的区别 |