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BSS63LT1概述

高压晶体管 High Voltage Transistor

PNP Silicon

得捷:
TRANS PNP 100V 100MA SOT-23

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP

BSS63LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 225 W

增益频宽积 95 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BSS63LT1

型号： BSS63LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高压晶体管 High Voltage Transistor

替代型号BSS63LT1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSS63LT1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BSS63LT1G 安森美	类似代替	BSS63LT1和BSS63LT1G的区别
2SA1163 东芝	功能相似	BSS63LT1和2SA1163的区别
2SA1312 东芝	功能相似	BSS63LT1和2SA1312的区别