BD809

BD809图片1
BD809概述

塑料大功率硅晶体管 Plastic High Power Silicon Transistor

Plastic High Power Silicon Transistor

These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

Features

• DC Current Gain - hFE = 30 Min @ IC = 2.0 Adc

• Pb-Free Packages are Available
.

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


BD809中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 90.0 W

集电极击穿电压 80.0 V

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 30

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 50

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BD809
型号: BD809
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:塑料大功率硅晶体管 Plastic High Power Silicon Transistor
替代型号BD809
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD809

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BD809G

安森美

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BD809和BD809G的区别

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