BAT17-07

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BAT17-07概述

硅肖特基二极管 Silicon Schottky Diode

反向电压VrReverse Voltage| 4V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 130mA/0.13A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 425mV/0.425V 最大耗散功率PdPower dissipation| 150MW/0.15W Description & Applications| .Silicon Schottky Diode .For mixer applications in VHF/UHF range .For high-speed switching application。 · Composed of 2 independent Schottky barrier diodes. 描述与应用| 硅肖特基。 对于VHF/ UHF范围混频器应用。 高速开关. .2个独立的肖特基势垒二极管。

BAT17-07中文资料参数规格
技术参数

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-143-4-1

外形尺寸

封装 SOT-143-4-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Wireless Communications, High Speed Data Networks, Base Stations, Satellite Receivers

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BAT17-07
型号: BAT17-07
制造商: Infineon 英飞凌
描述:硅肖特基二极管 Silicon Schottky Diode
替代型号BAT17-07
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