BC859CE6327

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BC859CE6327概述

PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

通用 PNP ,


欧时:
Infineon BC859CE6327 , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23


BC859CE6327中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC859CE6327
型号: BC859CE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:PNP 晶体管,Infineon ### 双极晶体管,Infineon

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