PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 70 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200mhz 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3V 描述与应用 Description & Applications | 硅PNP型数字 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路 内置的偏置电阻 技术文档PDF下载 | 在线阅读
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCR185S Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BCR183S 英飞凌 | 完全替代 | BCR185S和BCR183S的区别 |
MUN5111DW1T1G 安森美 | 功能相似 | BCR185S和MUN5111DW1T1G的区别 |
DTB143EKT146 罗姆半导体 | 功能相似 | BCR185S和DTB143EKT146的区别 |