BCR185S

BCR185S图片1
BCR185S图片2
BCR185S概述

PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 70 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200mhz 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3V 描述与应用 Description & Applications |  硅PNP型数字  开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路  内置的偏置电阻 技术文档PDF下载 | 在线阅读

BCR185S中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR185S
型号: BCR185S
制造商: Infineon 英飞凌
描述:PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
替代型号BCR185S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR185S

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCR183S

英飞凌

完全替代

BCR185S和BCR183S的区别

MUN5111DW1T1G

安森美

功能相似

BCR185S和MUN5111DW1T1G的区别

DTB143EKT146

罗姆半导体

功能相似

BCR185S和DTB143EKT146的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台