晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 4 V
Summary of Features:
Benefits:
额定功率 89 W
针脚数 2
漏源极电阻 0.0013 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 9000pF @20VVds
下降时间 7.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2800 mW
引脚数 7
封装 WDSON-2
封装 WDSON-2
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated DC-DC converters, Or-ing switches, Synchronous rectification
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSB015N04NX3G 英飞凌 | 类似代替 | BSB015N04NX3GXUMA1和BSB015N04NX3G的区别 |