OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS?2 Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 12A DSO-8
罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin DSO
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
额定电压DC 30.0 V
额定电流 12.0 A
极性 N-CH
耗散功率 1.56 W
输入电容 3.23 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 5.4 ns
输入电容Ciss 3230pF @15VVds
额定功率Max 1.56 W
下降时间 5.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 PG-DSO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSO072N03S Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6680A 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSO072N03S和FDS6680A的区别 |
FDS6670A 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSO072N03S和FDS6670A的区别 |
FDS7760A 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSO072N03S和FDS7760A的区别 |