INFINEON BSZ100N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N06LS3GATMA1, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 20 A, 0.008 ohm, PG-TSDSON, 表面安装
艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the BSZ100N06LS3GATMA1 power MOSFET, developed by Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 2100 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSZ100N06LS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.7 V
额定功率 50 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 2600 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 2600pF @30VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, 替代能源, 工业, Isolated DC-DC converters, 电机驱动与控制, Or-ing switches, Synchronous rectification, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17