SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
N-Channel 200 V 9.5A Tc 75W Tc Through Hole PG-TO220-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB
额定电压DC 200 V
额定电流 9.50 A
耗散功率 75000 mW
输入电容 530 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUZ32 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF630NPBF 英飞凌 | 类似代替 | BUZ32和IRF630NPBF的区别 |
BUZ73 英飞凌 | 类似代替 | BUZ32和BUZ73的区别 |
IRF630N 英飞凌 | 功能相似 | BUZ32和IRF630N的区别 |