BSZ0902NSATMA1

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BSZ0902NSATMA1概述

INFINEON  BSZ0902NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


得捷:
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON


立创商城:
N沟道 30V 40A 19A


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NSATMA1, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装


贸泽:
MOSFET LV POWER MOS


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the BSZ0902NSATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 2100 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSZ0902NSATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V


BSZ0902NSATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 48 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 1700pF @15VVds

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.1 mm

封装 TSDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, Onboard charger, VRD/VRM

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: BSZ0902NSATMA1
描述:INFINEON  BSZ0902NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V

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