Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定电压DC 55.0 V
额定电流 5.20 A
额定功率 1.8 W
通道数 1
漏源极电阻 33 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.8 W
输入电容 1.39 nF
栅电荷 42.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1390pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP603S2L Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP615S2L 英飞凌 | 类似代替 | BSP603S2L和BSP615S2L的区别 |