BSS192PE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSS192PE6327概述

MOSFET P-CH 250V 190mA SOT-89

P-Channel 250V 190mA Ta 1W Ta Surface Mount PG-SOT89

得捷:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

BSS192PE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -250 V

额定电流 -190 mA

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 190 mA

上升时间 5.20 ns

输入电容Ciss 104pF @25VVds

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSS192PE6327

型号： BSS192PE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET P-CH 250V 190mA SOT-89

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