BCR166E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCR166E6327概述

SOT-23 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

TME:
Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT23; R1:4.7kΩ

BCR166E6327中文资料参数规格

技术参数

频率 160 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 160 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR166E6327

型号： BCR166E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-23 PNP 50V 100mA

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替代型号BCR166E6327

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