BCR141E6327

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BCR141E6327中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 130 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR141E6327
型号: BCR141E6327
描述:NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
替代型号BCR141E6327
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR141E6327

Infineon 英飞凌

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