BF510,215

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BF510,215概述

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V TO236AB


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


e络盟:
晶体管, JFET, 20 V, 3 mA, 700 µA, 800 mV, SOT-23, JFET


艾睿:
The unique design of this BF510,215 JFET from NXP Semiconductors gives it the versatility to be used as an electrical switch, amplifier, or voltage-controlled resistor in your electronic circuit design. Its maximum power dissipation is 250 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 20V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23


BF510,215中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 250 mW

测试电流 5 mA

击穿电压 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF510,215
型号: BF510,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号BF510,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BF510,215

NXP 恩智浦

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恩智浦

完全替代

BF510,215和BF512,215的区别

BF512,235

恩智浦

完全替代

BF510,215和BF512,235的区别

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恩智浦

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