BF556A,215

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BF556A,215概述

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 30V 7MA SOT23


欧时:
N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


e络盟:
晶体管, JFET, -30 V, 3 mA, 7 mA, -7.5 V, SOT-23, JFET


艾睿:
The unique characteristics of this BF556A,215 JFET from NXP Semiconductors make it a versatile electronic component to have in an electronic circuit design. Its maximum power dissipation is 250 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans JFET N-CH 30V 7mA 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
N-channel Silicon Junction Field-Effect Transistors


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V 7mA 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 30V 7mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


RfMW:
Transistors


DeviceMart:
JFET N-CH 30V 7MA SOT23


Win Source:
JFET N-CH 30V 7MA SOT23


BF556A,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 7 mA

耗散功率 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF556A,215
型号: BF556A,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号BF556A,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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