BZX585-B12概述
300mW，BZX585 系列，NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX585-B 和 5% BZX585-C 表面安装外壳，SOD-523 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors
• Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 300 mW • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max.40 W. • Low-power voltage regulator diodes
Newark:
# NXP BZX585-B12 ZENER DIODE, 0.3W, 12V, SOD-523
在线购买BZX585-B12
型号： BZX585-B12
制造商：
NXP
恩智浦
描述：300mW，BZX585 系列，NXP Semiconductors 齐纳电压容差为 2% BZX585-B 和 5% BZX585-C 表面安装外壳，SOD-523 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors
替代型号BZX585-B12
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BZX585-B12 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BZX585-B12,135 恩智浦 | 完全替代 | BZX585-B12和BZX585-B12,135的区别 |
BZX585-B12,115 安世 | 类似代替 | BZX585-B12和BZX585-B12,115的区别 |