BST60

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BST60概述

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-EmitterVoltageVCEO| -45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 2000 @ -10V,-0.5A 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| • High current max. 0.5 A • Low voltage max. 80 V • Integrated diode and resistor. • Industrial switching applications such as: Print hammer、Solenoid、Relay and lamp driving. •PNPDarlington transistor in a SOT89 plastic package. •NPN complements: BST50. 描述与应用| •高电流(最大0.5 A) •低电压(最大80 V) •集成的二极管和电阻。 •工业开关应用,如:打印锤,电磁阀,继电器和灯驱动。 •PNP达林顿晶体管在SOT89塑料包装。 •NPN补充:BST50。

BST60中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BST60
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号BST60
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