BF513,215

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BF513,215概述

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V TO236AB


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS


e络盟:
晶体管, 射频FET, 20 V, 250 mW, SOT-23


艾睿:
This BF513,215 JFET transistor from NXP Semiconductors is an uni-polar voltage-controlled device that has a very high input electrical resistance. Its maximum power dissipation is 250 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans JFET N-CH 20V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 20V 30mA 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 20V 30mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


RfMW:
Transistors


Win Source:
JFET N-CH 20V 30MA SOT23


BF513,215中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电流 30 mA

针脚数 3

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 20 V

测试电流 5 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF513,215
型号: BF513,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
替代型号BF513,215
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