BSC109N10NS3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSC109N10NS3G概述

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上

立创商城:
N沟道 100V 63A

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Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON T/R

力源芯城:
100V,10.9mΩ,63A,N沟道功率MOSFET

BSC109N10NS3G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 78 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.35 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC109N10NS3G

型号： BSC109N10NS3G

描述：Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

替代型号BSC109N10NS3G