BUJ105AD,118

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BUJ105AD,118概述

DPAK NPN 400V 8A

- 双极 BJT - 单 NPN 400 V 8 A - 80 W 表面贴装型 DPAK


得捷:
TRANS NPN 400V 8A DPAK


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


BUJ105AD,118中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 13 @500mA, 5V

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BUJ105AD,118
型号: BUJ105AD,118
制造商: We En Semiconductor
描述:DPAK NPN 400V 8A
替代型号BUJ105AD,118
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We En Semiconductor

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