BUJ403A,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUJ403A,127概述

TO-220AB NPN 550V 6A

Bipolar BJT Transistor NPN 550V 6A 100W Through Hole TO-220AB

得捷:
TRANS NPN 550V 6A TO220AB

艾睿:
Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

安富利:
Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin 3+Tab TO-220AB T/R

BUJ403A,127中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 550 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 20 @500mA, 5V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买BUJ403A,127

型号： BUJ403A,127

制造商： We En Semiconductor

描述：TO-220AB NPN 550V 6A

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替代型号BUJ403A,127

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BUJ403A,127 We En Semiconductor	当前型号	当前型号
BUJ403A/DG,127 We En Semiconductor	完全替代	BUJ403A,127和BUJ403A/DG,127的区别

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