BSC057N03LSG

BSC057N03LSG图片1
BSC057N03LSG图片2
BSC057N03LSG图片3
BSC057N03LSG图片4
BSC057N03LSG图片5
BSC057N03LSG图片6
BSC057N03LSG图片7
BSC057N03LSG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1800pF @15VVds

额定功率Max 45 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SuperSO-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.49 mm

高度 1.1 mm

封装 SuperSO-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC057N03LSG
型号: BSC057N03LSG
描述:IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号BSC057N03LSG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSC057N03LSG

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BSC883N03LSG

英飞凌

完全替代

BSC057N03LSG和BSC883N03LSG的区别

BSC886N03LSG

英飞凌

完全替代

BSC057N03LSG和BSC886N03LSG的区别

BSC057N03LSGATMA1

英飞凌

功能相似

BSC057N03LSG和BSC057N03LSGATMA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台