BF 999 E6327

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BF 999 E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 30.0 mA

额定功率 0.2 W

耗散功率 200 mW

输入电容 2.50 pF

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

输入电容Ciss 2.5pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF 999 E6327
型号: BF 999 E6327
描述:Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.03A 3Pin SOT-23 T/R

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