BLF368

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BLF368中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 32.0 V

额定电压DC 65.0 V

额定电流 25.0 A

漏源极电阻 150 mΩ

耗散功率 500 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 65.0 V

漏源击穿电压 65 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 15 ns

输出功率 300 W

增益 13.5 dB

输入电容Ciss 495pF @32VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-262

外形尺寸

长度 34.17 mm

宽度 10.29 mm

高度 5.77 mm

封装 SOT-262

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF368
型号: BLF368
制造商: NXP 恩智浦
描述:甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor
替代型号BLF368
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