BSC100N10NSF G

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BSC100N10NSF G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 2900pF @50VVds

额定功率Max 156 W

下降时间 7 ns

封装参数

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Uninterruptable power supplies UPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC100N10NSF G
型号: BSC100N10NSF G
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A 8Pin TDSON EP

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