BZX55C12-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

BZX55C12-TR概述

VISHAY BZX55C12-TR 齐纳二极管, 500mW, 12.7V, DO-35

Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35

得捷:
DIODE ZENER 12V 500MW DO35

贸泽:
Zener Diodes 12 Volt 0.5W 5%

艾睿:
Diode Zener Single 12V 5% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R

富昌:
BZX55 系列 12 V 200 mA 轴向通孔小信号齐纳二极管 - DO-35

Verical:
Diode Zener Single 12V 5% 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R

Newark:
# VISHAY BZX55C12-TR Zener Single Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 Pins, 175 °C

BZX55C12-TR中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

针脚数 2

正向电压 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 12 V

正向电压Max 1.5V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-35-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZX55C12-TR

型号： BZX55C12-TR

描述：VISHAY BZX55C12-TR 齐纳二极管, 500mW, 12.7V, DO-35

替代型号BZX55C12-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BZX55C12-TR Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BZX55C12-TAP 威世	完全替代	BZX55C12-TR和BZX55C12-TAP的区别
BZX55-C12 台湾半导体	功能相似	BZX55C12-TR和BZX55-C12的区别
BZX55C12 Yangzhou Yangjie Electronic	功能相似	BZX55C12-TR和BZX55C12的区别