BFP420E6327

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BFP420E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.50 V

额定电流 35.0 mA

击穿电压集电极-发射极 5 V

增益 21 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @20mA, 4V

额定功率Max 160 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 210 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFP420E6327
型号: BFP420E6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
替代型号BFP420E6327
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

当前型号

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