P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
- 双极 BJT - 阵列 2 NPN(双) 45V 100mA 250MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-6
得捷:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363-6
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC847SH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847SH6433XTMA1 英飞凌 | 完全替代 | BC847SH6327XTSA1和BC847SH6433XTMA1的区别 |
BC847SH6727XTSA1 英飞凌 | 完全替代 | BC847SH6327XTSA1和BC847SH6727XTSA1的区别 |
BC847SH6827XTSA1 英飞凌 | 完全替代 | BC847SH6327XTSA1和BC847SH6827XTSA1的区别 |