BC847SH6327XTSA1

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BC847SH6327XTSA1概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

- 双极 BJT - 阵列 2 NPN(双) 45V 100mA 250MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-6


得捷:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363-6


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363


BC847SH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 450

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For AF input stages and driver applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC847SH6327XTSA1
型号: BC847SH6327XTSA1
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号BC847SH6327XTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC847SH6327XTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

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BC847SH6433XTMA1

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BC847SH6327XTSA1和BC847SH6433XTMA1的区别

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BC847SH6827XTSA1

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