BSO200N03参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSO200N03概述

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.6A 1.4W 表面贴装型 PG-DSO-8

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO

罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO

Win Source:
OptiMOS?2 Power-Transistor

BSO200N03中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 6.60 A

极性 N-CH

耗散功率 1560 mW

输入电容 840 pF

栅电荷 6.50 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.80 A

输入电容Ciss 1010pF @15VVds

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSO200N03

型号： BSO200N03

描述：OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

替代型号BSO200N03