INFINEON BFP740FH6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
SiGe 射频双极,
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP
欧时:
Infineon BFP740FH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 30 mA, Vce=4 V, HFE:160, 42 GHz, 4引脚 TSFP封装
贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 250 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 4V 0.03A 4-Pin TSFP T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R
Newark:
# INFINEON BFP740FH6327XTSA1 RF BIP TRANSISTORS New
Win Source:
TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343
针脚数 4
耗散功率 160 mW
输入电容 0.4 pF
击穿电压集电极-发射极 4.7 V
增益 27.5 dB
最小电流放大倍数hFE 160 @25mA, 3V
额定功率Max 160 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-4
长度 1.4 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.55 mm
封装 SMD-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, Industrial, Wireless, 无线, 电源管理, Power Management, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99