P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
复合晶体管，
得捷:
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143
立创商城:
BCV61BE6327HTSA1
欧时:
Infineon BCV61BE6327HTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 100 mA, Vce=30 V, HFE=100, 4引脚 SOT-143封装
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R
Win Source:
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143 / Transistor Current Mirror 2 NPN, Base Collector Junction 30V 100mA Surface Mount PG-SOT-143-3D
频率 250 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
额定电压 30 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 TO-253-4
材质 Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For current mirror applications, 电流镜像
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCV61BE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BCV61BE6433HTMA1 英飞凌 | 完全替代 | BCV61BE6327HTSA1和BCV61BE6433HTMA1的区别 |