BCV61CE6327HTSA1

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BCV61CE6327HTSA1概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

电流反射镜晶体管,

使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管,可用作电流反射镜对。

良好的热耦合和 VBE 配接

高电流增益

低集电极-发射极饱和电压


得捷:
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143


立创商城:
2个NPN,基极集电极接线盒 30V 100mA


欧时:
Infineon BCV61CE6327HTSA1, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装


e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, 30 V, 300 mW, 100 mA, 520 hFE, SOT-143


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Newark:
# INFINEON  BCV61CE6327HTSA1  Bipolar Transistor Array, NPN, 30 V, 300 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-143


Win Source:
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143


BCV61CE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 520

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, For current mirror applications, Power Management, Automotive, Industrial, 电流镜像, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BCV61CE6327HTSA1引脚图与封装图
BCV61CE6327HTSA1引脚图
BCV61CE6327HTSA1封装图
BCV61CE6327HTSA1封装焊盘图
在线购买BCV61CE6327HTSA1
型号: BCV61CE6327HTSA1
描述:P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号BCV61CE6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCV61CE6327HTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCV61C

恩智浦

功能相似

BCV61CE6327HTSA1和BCV61C的区别

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