NXP BF823 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −250V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −250V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 50 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −800mV/-0.8V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP Silicon High-Voltage Transistor FEATURES • Low current max. 50 mA • High voltage max. 300 V. APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. 描述与应用| PNP硅高压 特点 •低电流(最大50毫安) •高电压(最大300 V)。 应用 •专业的电话和通信设备
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BF823 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BF423G 安森美 | 类似代替 | BF823和BF423G的区别 |
BF423ZL1G 安森美 | 功能相似 | BF823和BF423ZL1G的区别 |
BF823,215 恩智浦 | 功能相似 | BF823和BF823,215的区别 |