BF823

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BF823概述

NXP  BF823  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −250V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −250V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 50 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −800mV/-0.8V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP Silicon High-Voltage Transistor FEATURES • Low current max. 50 mA • High voltage max. 300 V. APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. 描述与应用| PNP硅高压 特点 •低电流(最大50毫安) •高电压(最大300 V)。 应用 •专业的电话和通信设备

BF823中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 250 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BF823
型号: BF823
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BF823  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新
替代型号BF823
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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