NXP BF824 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 440 MHz, 250 mW, -25 mA, 25 hFE 新
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −25mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 450MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 50 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP medium frequency transistor FEATURES • Low current max. 25 mA • Low voltage max. 30 V. APPLICATIONS • RF stages in FM front-ends in common base configuration. 描述与应用| PNP中频 特点 •低电流(最大25毫安) •低电压(最大30 V)。 应用 •射频阶段的FM前端常见的基本配置。
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BF824 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BF824,215 安世 | 类似代替 | BF824和BF824,215的区别 |
BF824W,135 恩智浦 | 类似代替 | BF824和BF824W,135的区别 |
BF824,235 恩智浦 | 类似代替 | BF824和BF824,235的区别 |